500Umへの625Um GaAsはEpiのウエファーの磨かれた等級の機械等級を基づかせていた
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:3仕事日
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Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
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GaAsはEpiのウエファーを基づかせていた
私達はØ 4"にマイクロエレクトロニクス、光電子工学そして直径Ø 3"のRFのマイクロウェーブ適用にGaAsの基質で注文の構造のMBE/MOCVDのエピタキシアル成長、提供する。私達の広範なMOCVDの経験を使うと、私達は優秀な結晶の質のsingelの層または多数層の超格子の構造二元合金（Lt GaAs、可哀想に）またはいろいろな装置必要性を満たすためにGaAsの基質の三つ組みの合金（AlGaAs、InGaAs、GaAsP、InGaP）を育ててもいい。私達の熟練した専門家はあなたとあなたのGaAsのepiの層状構造を設計し、最大限に活用するために働くことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡するか、またはあなたのepiの層状構造を論議しなさい。
GaAsはEpiのウエファーの機能を基づかせていた
私達のリアクターはいろいろ物質的なシステムおよびプロセス状態のために形成される。私達はLEDsからHEMTsまで及ぶいろいろな装置塗布に注文のエピタクシーを提供してもいい。
| 物質的な機能 | 基質 | ウエファーのサイズ |
|---|---|---|
| GaAs/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
| Lt GaAs/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
| 可哀想に/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
| InAs/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
| AlGaAs/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
| InGaAs/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
| InGaP/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
| GaAsP/GaAs | GaAsのウエファー | 4インチまで |
光電子工学の適用:
フォトディテクター、VCSELsの半導体レーザー、LEDs、SOAsの導波管。
電子適用:
FETs、HBTsのHEMTs、ダイオード、マイクロウェーブ装置。
Epiの層状構造（HEMT/HBT）
| 成長 | MOCVD |
|---|---|
| 添加物の源 | Pのタイプは/、Nのタイプ/Siある |
| 帽子の層 | 私GaAs層 |
| 活動的な層 | n-AlGaAsの層 |
| スペース層 | i-AlGaAsの層 |
| 緩衝層 | 私GaAs層 |
| 基質 | Øの3"/Ø 4" GaAsのウエファー |
500Umへの625Um GaAsはEpiのウエファーの磨かれた等級の機械等級を基づかせていた
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