窒化アルミニウム、陶磁器のプリント基板、メタライゼーションのための基質、LEDsのための基質のためのブランク
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:10000部分
受渡し時間:5-8仕事日
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正会員
Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
窒化アルミニウム（AlN）
非常に高い熱伝導性の陶磁器材料
窒化アルミニウム（AlN）、共有担保付きの陶磁器は豊富な要素アルミニウムおよび窒素から、総合される。それは自然に起こらない。
AlNは2000°C.上の温度で不活性大気で安定している。それは高い熱伝導性を表わすが、独特に、強い誘電体である。特性のこの珍しい組合せはAlNに光学、照明、電子工学および再生可能エネルギーの多くの未来の適用のための重大な先端材料を作る。
粉の生産に加えて、私達はAlN焼結させたプロダクトを作り出し、供給するまたことができる。熱管理のための高まる需要に応じるためには、私達は銅の金属で処理された窒化アルミニウムテープ、網型の複雑な3D構造および合成物を開発している。小説によって埋め込まれる金属構造が付いているAlNのマイクロチャンネル
リアクターそしてAlNの基質のような高度プロダクトは開発中ある。
指定:
特性 | 物質的な等級 |
AlN | |
密度、g/sm3 | 3,3 |
Vickersの硬度、GPa | 11 |
曲がる強さ、MPa | 320 |
若い係数、GPa | 320 |
熱伝導性、と（m·K） | 180 |
熱はさみ金のexpantion、10-6/ºКの係数 | 4,7-5,6 |
電気強さ、kV/mm | 16 |
容積抵抗、オーム·m | >1012 |
誘電性のcapacitivity | 8,9 |
主要な特性:
高い熱伝導性;
優秀な電気絶縁材の特性;
強さ;
低い熱膨張率;
よいメタライゼーションの能力。
主要出願:
陶磁器のプリント基板のためのブランク;
thick-filmおよび薄膜の技術のメタライゼーションのための基質;
薄膜の技術のメタライゼーションのための磨かれた基質;
LEDsのための基質;
半導体レーザーのための基質;
のマイクロウェーブGIそして超小型組立のための精密基質水晶のための高密度穴そして刻み目;
抵抗器、加減抵抗器、燃料レベルセンサー、圧力、等のセットのための多数カード;
毒物、電離放射線、磁界センサー等の機構のキャリア;
ionizersのための版および空気のオゾン発生器;
電子部品から冷却のラジエーターへ熱を取除くための絶縁のパッド;
圧電気のトランスデューサーの要素のための保護装置;
平らな発熱体、強力な半導体デバイスの水晶の基盤そしてホールダー;
熱電モジュール（ペルティアー要素）のための版;
無線周波数血しょう発電機のためのスクリーン;
るつぼ。
窒化アルミニウム、陶磁器のプリント基板、メタライゼーションのための基質、LEDsのための基質のためのブランク
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