基質、電子産業のための技術製陶術、アルミナ（Al2O3）からのウエファー、窒化アルミニウム（AlN）

基質、電子産業のための技術製陶術からのウエファー

アルミナ（Al2O3）、窒化アルミニウム（AlN）、窒化珪素（Si3N4）および特性による他の陶磁器材料に基づく基質は電子産業で広く利用されている。

主要出願:

• 陶磁器のプリント基板（PCB）で死ぬ;
• thick-filmおよび薄膜の技術のメタライゼーションのための基質;
• 薄膜の技術のメタライゼーションのための磨かれた基質;
• LEDsの半導体レーザーのための基質;
• 水晶のために穴そして溝を作ることの高密度のマイクロウェーブ集積回路そしてマイクロ アセンブリのための精密基質;
• 抵抗器、加減抵抗器、燃料レベルセンサー、圧力、等のセットのための多数板;
• 毒物、電離放射線、磁界、等のセンサー回路のキャリア;
• 空気ionizersおよびオゾン発生器のためのウエファー;
• 電子部品から冷却のラジエーターへ熱を取除くための絶縁のパッド;
• 圧電気のトランスデューサーの要素のための保護装置;
• 平らな発熱体、強力な半導体デバイスの水晶の基盤そしてホールダー;
• 熱電モジュール（ペルティアー要素）のための版;
• 無線周波数血しょう発電機のためのスクリーン。

アルミナ（Al2O3）からのプロダクトの適用特徴

アルミナ（Al2O3）に材料特性および低価格の優秀な組合せがある。高い機械強さ、硬度、耐久性、耐火性、熱伝導性は、化学慣性より高い材料の取り替えが生産費を削減するように時としてする。
Al2O3の内容は96%から99.7%からの0.25 mmからの厚さを変える。表面はにやにや笑うことができるまたは磨かれて、メタライゼーションおよび幾何学は可能である。

窒化アルミニウム（AlN）からのプロダクトの適用特徴

優秀な絶縁の特性、高い熱伝導性、強さおよび低い熱膨張率が原因で、窒化アルミニウムAlNは強力な電子デバイス、絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）で、通信システム、LEDの表示器、受動の部品、冷却装置、たる製造人荷を積まれたはんだの部品のダイレクト接続使用される。AlNの内容は96%から99.7%からの0.25からの11のmmへの厚さを変える。薄膜およびthick-film構造のための選択の処理:粉砕の終わりおよび磨かれた表面。メタライゼーションおよび幾何学は可能である。

窒化珪素（Si3N4）からのプロダクトの適用特徴

窒化珪素（Si3N4）に連続的な熱循環で、深い真空で、高められた摩擦の政体でそして他の厳しい作動条件で例外的な機械特性がある。優秀な耐久性および非常に高い曲がる強さは基質に熱抵抗（厚い窒化アルミニウム1.0 mmのと比較することができる）の低い価値をかなり積極的な環境の広い温度較差そして他の状態に安定している機械改善している間特徴を与える0.3 mmを厚く作ることを割り当てる。
窒化珪素に他の陶磁器材料と比較される高い放射抵抗、耐食性およびかなりの電気強さがある。

河南ZGの工業製品のCo.株式会社鄭州都市、2007年に中国の産業協会を導くことの専門家によって創設された。

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