炭化ケイ素のブロック、半導体のシリコンの薄片、LEDのサファイアのウエファー、LEDのウエファーの粉砕プロセス
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:10000部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:5-8仕事日
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正会員
Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
炭化ケイ素（SiC）のブロック
炭化ケイ素のブロックのよい熱伝導性のよい熱衝撃の抵抗のよい摩耗抵抗
カスタム化の生産のための私達の大きい射出能力そして強い形成の能力が原因で、私達の会社は多くの国際市場に私達のプロダクトを輸出した。私達のプロダクトは顧客の条件に従って証明される。
私達は高めるために、改良するために革新し、続け、また資源を内部的に統合し、外的に私達の会社の柔軟性および私達のプロダクトの競争力を増強し最もよいサービスを、古く、新しい顧客に与える。
適用:
半導体のシリコンの薄片の粉砕プロセス
LEDのサファイアのウエファーの粉砕プロセス
LEDのウエファーの薄くなるプロセス
特徴の条件:
よい熱伝導性
よい熱衝撃の抵抗
よい摩耗抵抗
| 性能 | 単位 | HS-A | HS-P | HS-XA |
| 結晶粒度 | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| 密度 | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3.1 |
| 硬度（Knoop） | Kg/mmの² | 2800 | 2800 | 2800 |
| Flexural強さ4 pt @ RT | MPa*m1/2 | 385 | 240 | 420 |
| *10 ³ 1b/inの² | 55 | 55 | 55 | |
| 耐圧強度@ RT | Mpa | 3900 | 3900 | |
| *10 ³ 1b/inの² | 560 | 560 | ||
| @ RT弾性係数 | Gpa | 410 | 400 | 410 |
| *10 ³ 1b/inの² | 59 | 58 | 59 | |
| Weibullの係数（2変数） | 8 | 19 | 12 | |
| ポアソン比率 | 0.14 | 0.14 | 0.14 | |
| ひびの靭性@ RTの倍のねじり及びSENB | MPa*m1/2 | 8 | 8 | 8 |
| ½の*1 ³ 1b/inの² | ||||
| RTへの700℃熱膨張率 | X10-6mm/mmK | 4.02 | 4.2 | 4.02 |
| X10-6 in/in°F | 2.2 | 2.3 | 2.2 | |
| 最高サービスTemp.Air平均比熱@ RT | °C | 1900年 | 1900年 | 1900年 |
| J/gmK | 0.67 | 0.59 | 0.67 | |
| 熱伝導性@ RT | W/mK | 125.6 | 110 | 125.6 |
| Btu/ftのh°F | 72.6 | 64 | 72.6 | |
| @200°C | W/mK | 102.6 | 102.6 | |
| Btu/ftのh°F | 59.3 | 59.3 | ||
| @400°C | W/mK | 77.5 | 77.5 | |
| Btu/ftのh°F | 44.8 | 44.8 | ||
| 透磁率@ RTへの1000°C | ガスの漏出無しの下の31MPa | |||
| 電気抵抗@ RT | オームcm | 102-106 | N/A | 102-106 |
| 放射率 | 0.9 | 0.9 | 0.9 | |
なぜ他よりよくしなさいか:
さまざまな指定で利用できる、またカスタマイズされたサービスを提供しなさい
安定した質および速い配達
120mmから在庫の480mmまでSiCのブロックの直径
サンプル ローディングの時を荷を下すプロセス節約すれば
受諾可能でより高い薄くなる率
炭化ケイ素のブロック、半導体のシリコンの薄片、LEDのサファイアのウエファー、LEDのウエファーの粉砕プロセス
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