チタニウムCC1312 IoT AES 256ビット補助的なGHzモジュール434/470/868/915MHz 13dBm TX力

AN1312モジュールはCC1312Rに基づいて設計されている。CC1312R装置は無線Mバス、IEEE 802.15.4gのIPv6可能にされたスマートな目的（6LoWPAN）、KNX RF、WiSUN®およびtheTI15.4積み重ねを含むプロプラエタリー システムを、目標とする副1GHz無線MCUである。

CC1312R装置は費用効果が大きく、超低い力、2.4 GHzおよび副1 GHz RF装置のSimpleLink™ MCUのプラットホームのメンバーである。同等によって保護されるRAMの保持の80KBまでと小さい硬貨細胞電池でそしてエネルギー収穫の適用で現在の副μA睡眠に加えるまさに低く活動的なRFおよびマイクロ制御回路（MCU）流れは、優秀な電池の寿命をおよび操作を許可するために提供する。

CC1312R装置は多数の物理層およびRFの標準を支えるプラットホームの強力な48 MHz Arm® Cortex®-M4F CPUによって適用範囲が広い、非常にローパワーRFのトランシーバーを結合する。熱心な無線のコントローラー（Arm® Cortex®-M0）はROMかRAMで貯えられる低レベルRFの議定書命令を扱い、従って超低い力および大きい柔軟性を保障する。CC1312R装置の低い電力の消費はRFの性能を犠牲にして来ない;CC1312R装置に優秀な感受性および強さの（選択率および妨害）性能がある。

CC1312R装置は完全なRFシステムおよびオン破片DC/DCのコンバーターを組み込む非常に統合された、本当の単一チップ解決である。センサーはプログラム可能のによって非常にローパワー方法で自治扱うことができる

プログラムおよびデータのためのSRAMの4KBの超低い力センサーのコントローラーCPU。速い目覚しおよび超低力のセンサーのコントローラーは、アナログおよびデジタル処理試し、緩衝のために2つのMHzモード、および設計されている。

• 作り付けCC1312F副1 GHz RF

システム破片（SOC）

• サイズ:15mm x 22mm x 3.2mm
• 作動の電圧:1.8Vへの3.8V
• 実用温度:-20℃~+70℃
• 保管温度:-40℃~+150℃
• マイクロ制御回路
• 強力な48 MHz Arm® Cortex®-M4F
• プロセッサ
• 内部システム プログラム可能なフラッシュの352KB
• 議定書および図書館のためのROMの256KB

機能

• 隠し場所SRAMの8KB （代わりに

一般目的のRAMとして利用できる）

• 超低い漏出SRAMの80KB
• 2 Pin cJTAGおよびJTAGのダバッギング
• -空気改善（OTA）上のサポート
• SRAMの4KBの超低い力センサーのコントローラー
• サンプル、店およびプロセス センサー データ
• システムCPUからの操作の独立者
• ローパワー操作のために速く目覚し
• TI-RTOS、運転者、ブート・ローダおよびIEEE

802.15.4最大限に活用されるのためのROMのMAC

適用サイズ

• ペリフェラル
• デジタル ペリフェラルはに導くことができる

GPIO

• 32ビット4×か8× 16ビットの一般目的

タイマー

• 12ビットADC、200 ksamples/sの8チャンネル
• 内部参照のDAC （1×連続的な時間、1×超低い力）の2×コンパレーター
• プログラム可能な現在の源
• 2 x UART
• 2 x SSI （SPI、MICROWIREのチタニウム）
• I2C
• I2S
• 実時間時計（RTC）
• AES-128 -そして256ビット暗号の加速装置
• 本当の乱数発電機（TRNG）
• 容量性感知の8つまでのチャネル
• 統合された温度および電池のモニター
• 低い電力
• 活動的モードRX:8mA
• 活動的モードTX:27mA
• スタンバイ:1 μAの（RTC、80KB RAM

CPUの保持）

• 無線セクション
• 適用範囲が広い高性能副1 GHz RF

トランシーバー

• 優秀な受信機の感受性:

-121長距離SimpleLinkのためのdBm

5キロビット/秒のモード;

-110 50キロビット/秒のdBm

• 出力電力+14までdBmとの

温度修正