1.5VノートDDR3のRAM 4GB 1333MHzの記憶8192周期
型式番号:n3
原産地:中国
RAM:DDR3 1333
記憶速度:1333のMHz
容量:4GB
潜伏:CL11
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Shenzhen China
住所：
Room 603, Nanyuan commercial building, Longhua District, Shenzhen,China
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 37 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
Faspeed N3 4GB DDR3のRAM 1333MHzのノートのラップトップの記憶
- PC3-12800 （1600MHz）データ転送速度
204 Pin二重インライン記憶モジュール
非ECC Unbuffered SODIMM
5臭い二重味方されたモジュール
7.8USによっては新たになる間隔（8192 CYCLES/64MS）が
1.35V電力要求事項
テストされる迎合的な100%およびRoHS
Intelの第3世代別移動式プロセッサ、またAMD Aシリーズ移動式プロセッサを使用
1.5VノートDDR3のRAM 4GB 1333MHzの記憶8192周期
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