EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプミラーは磨いた

型式番号:JDCD08-001-001

支払の言葉:T/T

包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。

表面のオリエンテーション:平面（11-20）

材料:高い純度Al2O3 （>99.995%）

厚さ:430 ±10μm

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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製品詳細会社概要

製品詳細

Thk 430μm 50mmのサファイアの基質のウエファーのウエファーの端のRタイプミラーは、EPI準備ができた磨いた

JDCD08-001-001直径50mmのサファイアの基質のウエファー、Thk 430μmの長さ（mm）の水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片、基質材料

サファイアはいろいろな半導体が異なった装置で使用されているのでこのごろ最も適している。smartphones、デジタルカメラ、洗濯機、LEDの球根および冷却装置のようなデジタル通信プロダクトは半導体を利用している。

また非常に集積回路に欠けている少数の電子デバイスがある。時間が過ぎるので、より多くの開発はサファイアの基質の分野で起こる。

変数	指定
変数	単位	ターゲット	許容
材料	高い純度のAl₂ O₃ （>99.995%）
直径	mm	50.8	±0.10
厚さ	μm	430	±15
表面のオリエンテーション	C平面（0001）
- M軸線の方の角度を離れて…	程度	0.20	±0.10
-軸線の方の角度を離れて…	程度	0.00	±0.10
平らなオリエンテーション	平面（11-20）
-平らなオフセット角	程度	0.0	±0.2
平らな長さ	mm	16.0	±1
R平面	R9
前部表面の粗さ（RA）	nm	<0.3
背部表面の粗さ	μm	0.8~1.2μm
前部表面質	ミラーは、EPI準備ができた磨いた
ウエファーの端	Rタイプ
小さな溝の広さ	μm	80-160
平らな端と円形の端間の含まれた角度のラジアン	mm	R=9
TTV	μm	≤5
LTV （5x5mm）	μm	≤1.5
弓	μm	0~-5
ゆがみ	μm	≤10
レーザーの印		必要な顧客ように

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。