長さ（mm）の平らなサファイアの基質のウエファーThk 440um 16のLEDの破片
支払の言葉:T/T
包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号:JDCD08-001-002
表面のオリエンテーション:平面（11-20）
製品名:50mmのサファイアの基質のウエファー
材料:高い純度のAlの₂ Oの₃ （>99.995%）
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長さ（Mm）の50mmのサファイアの基質のウエファーThk 430μm 16のLEDの破片
JDCD08-001-001直径50mmのサファイアの基質のウエファー、Thk 430μmの長さ（mm）の水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片、基質材料
材料は育ち、方向づけられ、基質はウエファーの1つのまたは両側の非常に滑らかな無傷性のEpi準備ができた表面に製造され、磨かれる。いろいろなウエファーのオリエンテーションおよびサイズ6"まで直径利用できる。
平面のサファイアの基質は通常均一比誘電率を要求し、非常に特徴を絶縁する雑種のマイクロエレクトロニック適用のために-使用される。
C平面の基質- lll-Vおよびll-Vlの混合物に、明るく青および緑LEDおよび半導体レーザーのためのGaNのような、使用しであって下さい。
R平面の基質-これらはマイクロエレクトロニックICの適用で使用されるケイ素のheteroエピタキシアル沈殿のために好まれる。
変数 | 指定 | ||
| 単位 | ターゲット | 許容 | |
| 材料 | 高い純度Al2O3 （>99.995%） | ||
| 直径 | mm | 50.8 | ±0.10 |
| 厚さ | μm | 430 | ±10 |
| 表面のオリエンテーション | 平面（11-20） | ||
| - M軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.00 | ±0.10 |
| -軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.00 | ±0.10 |
| 平らなオリエンテーション | C平面（0001） | ||
| -平らなオフセット角 | 程度 | 0.0 | ±0.2 |
| 平らな長さ | mm | 16.0 | ±1 |
| R平面 | R9 | ||
| 前部表面の粗さ（RA） | nm | <0.3 | |
| 背部表面の粗さ | μm | 0.9~1.2μm | |
| 前部表面質 | ミラーは、EPI準備ができた磨いた | ||
| ウエファーの端 | Rタイプ | ||
| 小さな溝の広さ | μm | 80-160 | |
| 平らな端と円形の端間の含まれた角度のラジアン | mm | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV （5x5mm） | μm | ≤1.5 | |
| 弓 | μm | 0~-5 | |
| ゆがみ | μm | ≤10 | |
| レーザーの印 | 必要な顧客ように | ||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
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