オプトエレクトロニクス研磨サファイア結晶ウェーハRタイプ
型式番号:JDCD08-001-001
支払の言葉:T/T
包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
表面のオリエンテーション:平面（11-20）
材料:高い純度のAlの₂ Oの₃ （>99.995%）
厚さ:430 ±15μm
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Shanghai Shanghai China
住所：
ビル 11、レーン 1333、江南大道、長興町、崇明区、上海
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内 2 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
厚さ430μm50mm サファイア基板 ウェーハ 結晶方位 C/M0.2, OF 長さ (mm) 16 LED チップ
JDCD08-001-001 直径 50mm サファイア基板ウエハー、Thk 430μm、結晶方位 C/M0.2、OF 長 (mm) 16 LED チップ、基板材料
アプリケーション
この基板の用途は次のとおりです。
赤外線アプリケーション
オプトエレクトロニクスとエレクトロニクス
SOS (Silicon on Sapphire Integrated Circuit)
成長基質
パラメーター | 仕様 | ||
| ユニット | 目標 | 許容範囲 | |
| 材料 | 高純度アルミ2〇3(＞99.995%) | ||
| 直径 | んん | 50.8 | ±0.10 |
| 厚さ | μm | 430 | ±15 |
| 表面の向き | Aプレーン(11-20) | ||
| -M軸方向へのオフアングル | 程度 | 0.20 | ±0.10 |
| -A軸方向へのオフアングル | 程度 | 0.00 | ±0.10 |
| フラット方向 | Cプレーン(0001) | ||
| -フラットオフセット角度 | 程度 | 0.0 | ±0.2 |
| フラットレングス | んん | 16.0 | ±1 |
| R面 | R9 | ||
| 表面粗さ(Ra) | nm | ＜0.3 | |
| 裏面粗さ | μm | 0.8～1.2μm | |
| 表面品質 | 鏡面研磨、EPI対応 | ||
| ウェーハエッジ | Rタイプ | ||
| 面取り振幅 | μm | 80-160 | |
| フラット エッジとラウンド エッジ間の夾角ラジアン | んん | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV(5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| 弓 | μm | 0~-5 | |
| ワープ | μm | ≤10 | |
| レーザーマーク | 顧客が要求するように | ||
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
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Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
オプトエレクトロニクス研磨サファイア結晶ウェーハRタイプ
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