E/終わる例えば/Gの表面分離した装置Si基質P/E P/P
原産地:蘇州中国
最低順序量:1
支払の言葉:T/T
供給の能力:50000pcs/month
受渡し時間:3-4 週日
包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
ビル 11、レーン 1333、江南大道、長興町、崇明区、上海
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内 2 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
分離した装置、P/P P/E、2インチのシリコンの薄片E/Eの終わるG/Gの表面
2インチのシリコンの薄片MEMS装置、集積回路、分離した装置のための熱心な基質
概観
ケイ素は地球の2番目に新し共通の要素であり、それは全体の宇宙の第7最も共通の要素である。それは電子および技術セクターの共通の半導体そして最も広く利用されている。
ケイ素の純度を変えるために成長プロセスの間に計画的な添加物の付加はにそれの目的がであるものによって加えることができる。これらのもたらされた不純物はであるケイ素が最終的に作り出されているものによってのために有用場合もあるケイ素の電気特性を変えることができる。
指定
| シリコンの薄片 | |
直径 | 2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
| 等級 | 主 |
| 成長方法 | CZ |
| オリエンテーション | <1-0-0><1-1-1>、<1-1-0> |
| タイプ/添加物 | Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb |
| 厚さ（μm） | 279/380/525/625/675/725/775 |
| 厚さの許容 | 標準的な± 25μmのCapabilit最高の/iesの± 5μm |
| 抵抗 | 0.001-100オームcm |
| 終わる表面 | 、P/P、E/E、G/G P/E |
| TTV （μm） | 標準 <10> |
| 弓/ゆがみ | 標準 <40> |
| 粒子 | <10> |
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
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