電子グレード CVD ダイヤモンド基板 誘電率 5.5
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受渡し時間:3-4 週日
包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号:JDCD05-001-001
密度(g/cm3):3.515
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製品詳細
ホールモビリティ 3800 cm2/V・S 電子グレード単結晶ダイヤモンド 比誘電率 5.5
3*3mm²*0.3mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量<100ppb、ヒートシンク用XRD<0.015º
概要
対照的に、CVD 成長は、より穏やかな温度で、周囲条件よりも低い圧力で、平衡から遠く離れて発生します。気相化学を含むダイヤモンド CVD の一般的な側面、気相活性化のためのさまざまな技術的アプローチ、およびリアクター設計が要約されています。電子アプリケーションに必要な単結晶ダイヤモンド ウェーハに向けて 2 つの競合するアプローチがあります。
仕様
| プロパティ | 合成ダイヤモンド | |
| 密度(g/cm3) | 3.515 | 固有のプロパティ |
| ヤング率(PGa) | 1050 | 機械的性質 |
| 硬度(PGa) | 70~120単結晶 60~100多結晶 | |
| 破断強度 | 2.5-3G単結晶 200-1100MPa 多結晶 | |
| 破壊靭性(MPa・m1/2) | 1~8 | |
| 摩擦係数 | 0.1 | |
| 熱伝導率(300K、Wm・K) | 1000~2000年 | 熱特性 |
| 熱膨張係数(×10-6/℃) | 1(室温) | |
| 屈折率(590nm) | 2.4 | 光学特性 |
| 光透過率 | 225nm～遠赤外線 | |
| バンドギャップ幅(ev) | 5.47 | 電気特性 |
| 抵抗率(Ω・cm) | ＞1010 | |
| 電子移動度(cm2/V·s) | 4500 | |
| 穴移動度(cm2/V·s) | 3800 | |
| 誘電率 | 5.5 | 誘電特性 |
| 誘電損失 | ＜2×10-4 |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
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電子グレード CVD ダイヤモンド基板 誘電率 5.5
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