JDCD05-001-005 55mm20.5mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量

型式番号:JDCD05-001-005

支払の言葉:T/T

供給の能力:5000pcs/month

受渡し時間:3-4 週日

包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。

密度(g/cm3):3.515

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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住所：ビル 11、レーン 1333、江南大道、長興町、崇明区、上海

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製品詳細会社概要

製品詳細

JDCD05-001-005 5*5mm2*0.5mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N content<100ppb、XRD<0.015º ヒートシンクの熱伝導率 1000-2200

概要

ダイヤモンドの高い熱伝導率は、熱管理用途に役立ちます。その広い光伝送範囲により、ダイヤモンドウィンドウは、半導体製造用の最先端の次世代リソグラフィシステムに採用されるようになりました。

さらに、マイクロ波帯域での透明性により、マイクロ波工学のアプリケーション開発の世界が開かれました。最も純粋な形の多結晶 CVD ダイヤモンドには電子トラップがなく、高エネルギー用途で使用される超高感度核検出器に理想的な材料です。

仕様

プロパティ	合成ダイヤモンド
密度(g/cm³)	3.515	固有のプロパティ
ヤング率(ギャップ)	1050	機械的性質
硬度(ギャップ)	70~120単結晶 60~100多結晶
破断強度	2.5-3G単結晶 200-1100MPa 多結晶
破壊靭性(MPa・m^1/2)	1~8
摩擦係数	0.1
熱伝導率(300K、Wm・K)	1000~2200	熱特性
熱膨張係数(×10^-6/℃)	1(室温)	熱特性
屈折率(590nm)	2.4	光学特性
光透過率	225nm～遠赤外線	光学特性
バンドギャップ幅(ev)	5.47	電気特性
抵抗率(Ω・cm)	＞10¹⁰
電子移動度(cm²/V・S)	4500
穴移動度(cm²/V・S)	3800
誘電率	5.5	誘電特性
誘電損失	＜2×10^-4	誘電特性

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。