ポリタイプなし可 SiC エピタキシャルウェーハ P-MOS P-SBD D グレード

型式番号:JDCD03-001-004

原産地:蘇州中国

支払の言葉:T/T

受渡し時間:3-4 週日

包装の細部:クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。

製品名:Sicのエピタキシアルウエファー

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製品詳細

JDCD03-001-004 Sic エピタキシャルウェーハ P-MOS P-SBD D グレードポリタイプなし可

JDCD03-001-004

概要

SiC ウェーハは、優れた電気特性と熱特性を備えた半導体材料です。幅広い用途に最適な高性能半導体です。高い耐熱性に加えて、非常に高い硬度も備えています。

他の半導体と比較して、炭化ケイ素ウエハーは幅広い電力および電圧アプリケーションに最適です。これは、さまざまな電気および光学デバイスに適していることを意味します。

財産	P-MOSグレード	P-SBDグレード	Dグレード
クリスタルフォーム	4H
ポリタイプ	なし		Area≤5%
(MPD)^a	≤0.2/cm²	≤0.5/cm²	≤5/cm²
六角プレート	なし		Area≤5%
六方晶多結晶	なし
インクルージョン^a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	なし
抵抗率	0.015Ω・cm～0.025Ω・cm	0.015Ω・cm～0.025Ω・cm	0.014Ω・cm～0.028Ω・cm
(EPD)^a	≤4000/cm²	≤8000/cm²	なし
(TED)^a	≤3000/cm²	≤6000/cm²	なし
(BPD)^a	≤1000/cm²	≤2000/cm²	なし
(TSD)^a	≤600/cm²	≤1000/cm²	なし
積層欠陥	≤0.5% エリア	≤1% エリア	なし
表面金属汚染	(Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb、Na、K、Ti、Ca、V、Mn) ≤1E11 cm^-2
直径	150.0mm +0mm/-0.2mm
表面の向き	軸外:<11-20>に向かって4°±0.5°
一次平面長	47.5mm±1.5mm
二次平面長	二次フラットなし
プライマリフラット方向	<11-20>±1°に平行
セカンダリフラット方向	なし
直交ミスオリエンテーション	±5.0°
表面仕上げ	C面：光学研磨、Si面：CMP
ウェーハエッジ	面取り
表面粗さ (10μm×10μm)	Si 面 Ra≤0.20 nm ； C 面 Ra≤0.50 nm
厚さ^a	350.0μm±25.0μm
LTV(10mm×10mm)^a	≦2μm		≦3μm
(TTV)^a	≦6μm		≦10μm
（弓）^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
（ワープ）^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
チップ/インデント	なし許可 ≥0.5mm 幅と深さ		数量 2 ≤1.0 mm 幅と奥行き
傷^a (Siフェイス、CS8520)	≤5かつ累積長さ≤0.5×ウェーハ直径		≤5かつ累積長さ≤1.5×ウェーハ直径
トゥア(2mm×2mm)	≥98%	≥95%	なし
クラック	なし
汚染	なし
財産	P-MOSグレード	P-SBDグレード	Dグレード
エッジ除外	3mm

備考：の付いた項目は、3mm のエッジ除外が使用されます。^a.

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
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通常、在庫がある場合は3～5日です。
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