2N7002 2N7002-7-F MOSFETのN-CHANNEL 60V 115mAの取り替えの破片
型式番号:2N7002
原産地:広東省、中国
包装の細部:標準的なカートン
最低注文量:1
パッケージのタイプ:表面の台紙
ブランド:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
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Shenzhen China
住所：
Shenzhen, Futian District, Huaqiang North SEG Plaza, Room 3209
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内 39 時間
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2N7002 MOSFETとのあなたのHashboardを改善しなさい
Hashboardの改善された性能のためのエネルギー効率が良いSMD MOSFET
3.3V適用の機能性を高めるように特に設計されている2N7002 MOSFETとのあなたのHashboardの性能を、改善しなさい。2.1Vの源の境界の電圧への低いゲートによって、このMOSFETは力管理適用のために完全であり、性能最高およびエネルギー使用法の低速を転換し続けることを可能にする。その低いオン州の抵抗はついている間、エネルギー効率が良く残ることを保障する。
プラスは、SMD版最高の電圧境界が付いている200mA連続的な流れそして1Aピークに耐える潜在性の小さい適用のために非常に便利、である。そうなぜ待ち時間か。あなたのHashboardを今日改善し、2N7002 MOSFETとのあなたの採鉱の経験を上げなさい!
製品カテゴリ | MOSFET |
技術 | Si |
様式の取付け | SMD/SMT |
パッケージ/場合 | SOT-23-3 |
トランジスター極性 | N-Channel |
チャネルの数 | 1つのチャネル |
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 | 60ボルト |
ID -連続的な下水管の流れ | 115 mA |
Rdsのオン下水管源の抵抗 | 1.2オーム |
Vgs -ゲート源の電圧 | - 20ボルト、+ 20ボルト |
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧 | 1ボルト |
Qg -ゲート充満 | - |
最低の実用温度 | - 55 C |
最高使用可能温度 | + 150 C |
Pd -電力損失 | 200 MW |
チャネル モード | 強化 |
構成 | 単一 |
高さ | 1.2 mm |
長さ | 2.9 mm |
プロダクト | MOSFETの小さい信号 |
シリーズ | 2N7002 |
トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
幅 | 1.3 mm |
前方相互コンダクタンス-分 | 0.08 S |
製品タイプ | MOSFET |
部分#別名 | 2N7002_NL |
単位重量 | 0.000282 oz |
2N7002 2N7002-7-F MOSFETのN-CHANNEL 60V 115mAの取り替えの破片
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