

Add to Cart
あなたの電子工学を改善するために見ればIRG4PH50UDは大きい選択である場合もある。力MOSFETのトランジスターとして、それは応用範囲の高性能そして効率のために設計した。買う前に考慮するべきある賛否両論はここにある:
賛成論:
- 600Vの最高のVdsおよび49Aの連続的な現在の評価の高い発電の評価、
- 改善された効率のための低いオン州の抵抗そして速い切り替え速度
- anti-parallelダイオードおよびゲートに下水管の保護のような作り付けの特徴との理性的な設計
- 、モーター ドライブからの電源に電子工学の範囲の使用のために適した
反対論:
- きちんと使用されない性能および寿命を減らすことができる過熱することに傾向がある、
- 5月は追加的支援の回路部品か最適のレベルで作動するために冷却を要求する
- 市場の他のトランジスターと比較される比較的高い
全体的にみて、IRG4PH50UDはあなたの電子工学のプロジェクトの印象的な結果を提供できる良質力MOSFETのトランジスターである。ちょうど最もよい結果のために製造業者の指針に従ってそれを使用するために確かめるため。
技術的詳細: