100V 33Aの高い発電のトランジスターTO-220-3 IRF540NPBF Nチャネル
型式番号:IRF540NPBF
部品番号。:IRF540NPBF
タイプ:MOSFET
トランジスター極性:N-Channel
パッケージ/場合:TO-220-3
ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
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Shenzhen China
住所：
Shenzhen, Futian District, Huaqiang North SEG Plaza, Room 3209
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内 39 時間
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高性能力トランジスター
IRF540NPBFの記述:高度の電子工学のための優秀な設計
あなたの電子工学のプロジェクトのための高度力トランジスターを捜したら、IRF540NPBFよりそれ以上に見てはいけない。この高性能トランジスターは最適の効率および信頼性を保障する優秀な設計の例外的な結果を、提供するように設計されている。高圧機能を100Vまでの特色にして、IRF540NPBFは広い応用範囲で作動できる。それはまた33Aまでのそれを強力な転換の機能を要求する要求回路の使用にとって理想的にさせる高い現在の機能を自慢する。
しかし実際に置く何がIRF540NPBFは離れて高度の設計である。低いオン州の抵抗および速い切り替え速度によって、このトランジスターは特別に有効な、信頼できる性能を提供する。それはまた温度および振動のような環境要因から傷つくためにそれを抵抗力があるようにする険しい構造を特色にする。
従って最もデマンドが高い適用の優秀な結果を提供できる高性能力トランジスターを捜したらIRF540NPBFを選びなさい。例外的な設計および信頼できる性能によって、それは高度の電子工学のプロジェクトのための完全な選択である。
技術的な特徴:
- 技術:Si
- 様式の取付け:穴を通して
- パッケージ/場合:TO-220-3
- トランジスター極性:N-Channel
- チャネルの数:1つのチャネル
- Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:100ボルト
- ID -連続的な下水管の流れ:33 A
- Rdsのオン下水管源の抵抗:44のmOhms
- Vgs -ゲート源の電圧:- 20ボルト、+ 20ボルト
- VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:2ボルト
- Qg -ゲート充満:47.3 NC
- 最低の実用温度:- 55 C
- 最高使用可能温度:+ 175 C
- Pd -電力損失:140 W
- チャネル モード:強化
- 包装:管
- ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
- 構成:単一
- 高さ:15.65 mm
- 長さ:10のmm
- 製品タイプ:MOSFET
100V 33Aの高い発電のトランジスターTO-220-3 IRF540NPBF Nチャネル
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