穴を通したIRFP064 MOSFETのトランジスターIC破片55V 110Aの高い発電
型式番号:IRFP064
部品番号。:IRFP064
タイプ:MOSFET
D/c:新しい
パッケージのタイプ:穴を通して
条件:新しい
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
Shenzhen, Futian District, Huaqiang North SEG Plaza, Room 3209
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内 39 時間
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IRFP064 -高い発電の適用のための強力なMOSFET
IRFP064 MOSFETの賛否両論
あなたの高い発電の適用のための強力な、信頼できるMOSFETを追求しているか。IRFP064は優秀な選択である!このMOSFETは55Vの下水管源の電圧、110Aの連続的な下水管の流れ、および有効な操作のための低いオン抵抗を自慢する。
賛成論:
- 機能を扱う高い発電:110Aの連続的な下水管の流れによって、IRFP064は電源、運動制御および高圧および高い現在の機能が必要の他の適用のような高い発電の適用にとって理想的である。
- 低いオン抵抗:IRFP064 MOSFETにそれをより有効にさせ、電力損失を減らす低いオン抵抗がある。
- 広い応用範囲:このMOSFETはスイッチ モード電源、オーディオ・アンプおよびモーター ドライブのようないろいろな適用に使用することができる。
反対論:
- 高い値段:IRFP064は市場の最も経済的なMOSFETではない。但し、高性能および信頼性は高い値段ポイントを正当化する。
- より複雑なアセンブリ:IRFP064にアセンブリをより複雑にさせるかもしれない他のあるMOSFETsより大きい足跡がある。但し、このMOSFETの信頼性および性能は人一倍の努力の価値を持ってそれをよく作る。
結論として、IRFP064 MOSFETは高い発電の適用の顕著な性能を提供する強力な、信頼できる部品である。それが他のMOSFETsより高価かもしれないが性能そして広い応用範囲はそれに電子工学の熱狂者または専門家のための優秀な選択をする。
穴を通したIRFP064 MOSFETのトランジスターIC破片55V 110Aの高い発電
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