航空部品IRFR9214PBF MOSFET P Chanの下水管源の絶縁破壊電圧250 V
型式番号:IRFR9214PBF
最低順序量:1 PC
支払の言葉:L/C、T/T
包装の細部:箱
製造業者::VISHAY
製品カテゴリ:MOSFET
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
住所：
ユニット4 ブロックB シアンOEパーク 77号 キージ2丁目 ハイテクゾーンシアン710075 山西
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 21 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
航空部品 IRFR9214PBF MOSFET P-Chan ドレイン・ソース間耐圧 250 V
航空部品の説明:
Vishay の第 3 世代パワー MOSFET
は、高度な処理技術を利用してシリコン面積あたりの低いオン抵抗を実現します。この利点は、パワー MOSFET
のよく知られている高速スイッチング速度と耐久性の高いデバイス設計と組み合わせることで、設計者にさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを提供します。DPAK
は、気相、赤外線、またはウェーブはんだ付け技術を使用した表面実装用に設計されています。ストレートリードバージョン
(IRFU、SiHFU シリーズ) はスルーホール実装アプリケーション向けです。一般的な表面実装アプリケーションでは、最大 1.5 W
の消費電力レベルが可能です。
航空部品の特徴:
- 高度なプロセス技術
- 完全な雪崩耐性
- 表面実装 (IRFR9214、SiHFR9214)
- ストレートリード（IRFU9214、SiHFU9214）
- Pチャンネル
- 高速スイッチング
航空部品の仕様:
| 製品の属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | シ |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
| トランジスタの極性: | Pチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧: | 250V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.7A |
| RDS オン - ドレイン・ソース間抵抗: | 3オーム |
| Vgs - ゲート・ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート・ソース間閾値電圧: | 4V |
| Qg - ゲート電荷: | 14nC |
| 最低動作温度: | -55℃ |
| 最高動作温度: | +150℃ |
| Pd - 消費電力: | 50W |
| チャンネルモード: | 強化 |
| シリーズ： | IRFR/U |
| 包装: | チューブ |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | 独身 |
| 身長： | 2.38mm |
| 長さ： | 6.73mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 工場出荷時のパック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 幅： | 6.22mm |
| 単体重量: | 0.011640オンス |
航空部品IRFR9214PBF MOSFET P Chanの下水管源の絶縁破壊電圧250 V
お問い合わせカート
0