航空部品IRFL4315TRPBF MOSFETの下水管源の絶縁破壊電圧150 V
型式番号:IRFL4315TRPBF
最低順序量:1 PC
支払の言葉:L/C、T/T
包装の細部:箱
製造業者::INFINEON
製品カテゴリ:MOSFET
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確認済みサプライヤー
住所：
ユニット4 ブロックB シアンOEパーク 77号 キージ2丁目 ハイテクゾーンシアン710075 山西
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内 21 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
航空部品IRFL4315TRPBF MOSFETの下水管源の絶縁破壊電圧150 V
航空部品の記述:
MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 19nC
航空部品の特徴:
減るために充満を流出させる低いゲート
転換の損失
十分に特徴付けられたキャパシタンスを含む
設計を簡単にする有効なCOSS （見なさい
App。ノートAN1001）
十分に特徴付けられたなだれ電圧
そして現在
無鉛
航空部品の指定:
| 製品特質 | 属性値 |
| 製造業者: | Infineon |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| 技術: | Si |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| パッケージ/場合: | SOT-223-4 |
| トランジスター極性: | N-Channel |
| チャネルの数: | 1つのチャネル |
| Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 150ボルト |
| ID -連続的な下水管の流れ: | 2.6 A |
| Rdsのオン下水管源の抵抗: | 185のmOhms |
| Vgs -ゲート源の電圧: | - 30ボルト、+ 30ボルト |
| VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: | 5ボルト |
| Qg -ゲート充満: | 19 NC |
| 最低の実用温度: | - 55 C |
| 最高使用可能温度: | + 150 C |
| Pd -電力損失: | 2.8 W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | 巻き枠 |
| 包装: | テープを切りなさい |
| 包装: | MouseReel |
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 構成: | 単一 |
| 高さ: | 1.6 mm |
| 長さ: | 6.5 mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 工場パックの量: | 2500 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 幅: | 3.5 mm |
| 部分#別名: | IRFL4315TRPBF SP001556696 |
| 単位重量: | 0.003951 oz |
航空部品IRFL4315TRPBF MOSFETの下水管源の絶縁破壊電圧150 V
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