STM32H743ZGT6腕の皮質M7 STM32H7のマイクロ制御回路IC 32ビット単心480MHz 1MB 1M x 8抜け目がない144-LQFP 20x20）

STM32H743ZGT6 ARM® Cortex®-M7 STM32H7のマイクロ制御回路IC 32ビット単心480MHz 1MB （1M x 8）抜け目がない144-LQFP （20x20）

データ用紙:STM32H743ZGT6

記憶

•フラッシュ・メモリの2 Mバイトまでとのサポートをreadwhile書く

•RAMの1 Mバイトまで:TCMのRAM （株式会社ITCMのRAMの64 Kバイト+時間の重大なルーチンのためのDTCMのRAMの128 Kバイト）の192 Kバイト、ユーザーSRAMの864 Kバイトまで、およびバックアップ範囲のSRAMの4 Kバイト

•133までのMHzを動かすデュアル モードのクォードSPIの記憶インターフェイス

•まで32ビット データ・バスが付いている適用範囲が広く外的な記憶コントローラー:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAMのNOR/NANDのフラッシュ・メモリは同期モードの100つまでのMHzの時間を記録した

•CRCの計算の単位

調整および力管理

•独自に時計ゲートで制御されるか、または転換することができる3つの別々の力の範囲:

– D1:高性能機能

– D2:コミュニケーション ペリフェラルおよびタイマー

– D3:再調節された/時計制御/力管理

•1.62から3.6ボルトの適用供給およびI/Os

•POR、PDR、PVDおよびBOR

•内部PHYsを供給するために3.3ボルトの内部調整装置を埋め込む熱心なUSB力

•デジタル回路部品を供給する構成可能の拡張可能な出力が付いている埋め込まれた調整装置（LDO）

•操業および停止モード（6つの構成可能の範囲）の電圧スケーリング

•バックアップ調整装置（V） ~0.9

•アナログperipheral/VREF+のための電圧参照

•ローパワー モード:睡眠、停止、スタンバイおよびVBATの支持のバッテリーの充電のローパワー消費

•充満機能のVBAT電池のオペレーティング・モード

•ピンを監察するCPUおよび範囲力の国家

•待機モード（バックアップSRAM、RTC/LSE）の2.95 µA

データ映像:

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