Add to Cart
AT28HC64BF-12SU EEPROMの記憶IC 64Kbit平行120 Ns 28-SOIC
記述:
AT28HC64BFは高性能電気消去可能な、プログラム可能読み取り専用メモリ(EEPROM)である。
記憶のその64Kは8ビットにつき8,192ワードとして組織される。Atmelの高度の不揮発性CMOSと製造される
技術はちょうど220 MWの電力損失との55 nsに、装置アクセス時間を提供する。装置がある時
選択解除されて、CMOSのスタンバイの流れは100 µAよりより少しである。
速い細部:
製造業者 | マイクロチップ・テクノロジー |
製造業者プロダクト数 | AT28HC64BF-12SU |
製造業者の標準的な調達期間 | 52週 |
詳細な説明 | EEPROMの記憶IC 64Kbit平行120 ns 28-SOIC |
製品特質:
タイプ | 記述 |
部門 | 記憶 |
Mfr | マイクロチップ・テクノロジー |
パッケージ | 管 |
プロダクト状態 | 活動的 |
記憶タイプ | 不揮発性 |
記憶フォーマット | EEPROM |
技術 | EEPROM |
記憶容量 | 64Kbit |
記憶構成 | 8K X 8 |
記憶インターフェイス | 平行 |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ms |
アクセス時間 | 120 ns |
電圧-供給 | 4.5V | 5.5V |
実用温度 | -40°C | 85°C (TC) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 28-SOIC (0.295"、7.50mmの幅) |
製造者装置パッケージ | 28-SOIC |
基礎プロダクト数 | AT28HC64 |
追加的なリソース:
属性 | 記述 |
他の名前 | AT28HC64BF12SU |
標準パッケージ | 27 |
特徴
•速い読み取りアクセスタイムの70 ns
•自動ページは操作を– 64バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金書く
•速くサイクル時間を書きなさい
–ページはサイクル時間を書く:2氏最高(標準)
– 64バイトのページへの1つは操作を書く
•低い電力の消滅
– 40 mAの活動的な流れ
– 100つのµA CMOSのスタンバイの流れ
•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護
•終わりのためのデータ投票そしてトグル ビットはの検出を書く
•高い信頼性CMOSの技術
–持久力:100,000の周期
–データ保持:10年
•単一の5 V ±10%の供給
•CMOSおよびTTLの多用性がある入出力
•JEDECはバイト幅のPinoutを承認した
•産業温度較差
•緑の(Pb/Halideなしの)包装だけ
データ映像: