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25LC512T-I/SN EEPROMの記憶IC 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
記述:
マイクロチップ・テクノロジー株式会社25LC512はバイト レベルおよびページ レベルのKbit 512連続EEPROMの記憶である
連続EEPROM機能。それはまた普通フラッシュ ベースと関連付けられるページ、セクターおよび破片の消去機能特色にする
プロダクト。これらの機能はバイトに要求されないまたはページは操作を書く。記憶は簡単な連続によってアクセスされる
周辺機器インターフェイス(SPI)多用性がある連続バス。必要なバス信号は別々のデータとクロックの入力(SCK)のである(SI)
そしてデータ(そう)ライン。装置へのアクセスは破片の選り抜き(CS)入力によって制御される。
速い細部:
製造業者 | マイクロチップ・テクノロジー |
製造業者プロダクト数 | 25LC512T-I/SN |
記述 | IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC |
詳細な説明 | EEPROMの記憶IC 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC |
製品特質:
タイプ | 記述 |
部門 | 記憶 |
Mfr | マイクロチップ・テクノロジー |
プロダクト状態 | 活動的 |
プログラム可能なDigiキー | 確認される |
記憶タイプ | 不揮発性 |
記憶フォーマット | EEPROM |
技術 | EEPROM |
記憶容量 | 512Kbit |
記憶構成 | 64K X 8 |
記憶インターフェイス | SPI |
クロック周波数 | 20のMHz |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 5ms |
電圧-供給 | 2.5V | 5.5V |
実用温度 | -40°C | 85°C (TA) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅) |
製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
基礎プロダクト数 | 25LC512 |
追加的なリソース:
属性 | 記述 |
他の名前 | 25LC512TISN |
25LC512T-I/SNDKR | |
25LC512T-I/SNTR | |
25LC512T-I/SNCT | |
標準パッケージ | 3300 |
特徴
•20のMHz最高。クロック速度
•バイトおよびページ レベルは操作を書く:
- 128バイトのページ
- 最高5氏。
- ページまたはセクターの消去は要求しなかった
•ローパワーCMOSの技術:
- 最高。現在を書きなさい:5.5Vの5 mA、20のMHz
- 読まれた現在:5.5Vの10 mA、20のMHz
- スタンバイの流れ:2.5V (深いpowerdown)の1つのA
•装置IDのための電子署名
•自己時限消去および周期を書くため:
- ページの消去(5氏、典型的な)
- セクターの消去(10 ms/sector、典型的な)
- バルク消去(10氏、典型的な)
•セクターは保護(16Kバイト/セクター)を書く:
- 配列どれも、1/4、1/2またはすべてを保護してはいけない
•組み込みは保護を書く:
- 電源-入/切のデータ保護の回路部品
- Write掛け金を可能にするため
- 書込禁止ピン
•高い信頼性:
- 持久力:1,000,000は/周期を書くために消す
- データ保持:>200年
- ESDの保護:>4000V
•温度較差は支えた:
- 産業(i):-40°Cへの+85°C
- 延長(e):-40°Cへの+125°C
•迎合的なRoHS
•自動車AEC-Q100は修飾した
データ映像: