検査室でテストされた保証 BUK9Y59-60E SMD または Through Hole IC CHIPS 集積回路 BUK9Y59-60E

記述:BUK9Y59-60E
ストック:10000
最低注文量:1
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P/N:BUK9Y59-60E
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BUK9Y59-60E - 製品の詳細

 

紹介:
BUK9Y59-60Eは,幅広い電源スイッチアプリケーション用に設計された高性能Nチャンネル電源MOSFETです.低電源抵抗と高電流処理能力により,このMOSFETは優れた効率と信頼性を提供しています電源,モーター制御回路,または高電流のスイッチシステムを設計するかどうかは別として,BUK9Y59-60Eは,あなたの電力管理のニーズに理想的なソリューションを提供します.

 

主要な特徴:

  1. Nチャネル電源MOSFET:BUK9Y59-60EはNチャネルMOSFETで,低端および高端の両方で効率的な電源スイッチと制御を可能にします.

  2. 低オン抵抗:このMOSFETはわずか数ミリオームの低オン抵抗 (RDS ((オン)) を備えており,電力損失を最小限に抑え,全体的なシステム効率を改善します.

  3. 高電流処理能力:BUK9Y59-60Eは,最大60Aの連続流出電流 (ID) を処理することができ,高電力アプリケーションに適しています.

  4. 低ゲートスリージウォルト:低ゲートスリージウォルト (VGS(th) で,このMOSFETは論理レベル信号によって簡単に動かすことができます.回路設計を簡素化し,幅広い制御システムとの互換性を確保する.

  5. BUK9Y59-60Eは,効率的な電源変換と削減されたスイッチ損失を可能にする高速スイッチング特性を備えています.

  6. 雪崩エネルギー評価:このMOSFETは雪崩エネルギー評価されており,高エネルギートランジエントの対象となるアプリケーションで堅牢性と信頼性を提供しています.

  7. TO-220ABパッケージ:BUK9Y59-60EはTO-220ABパッケージにカプセル化されており,優れた熱散和と安装が容易である.

 

電気特性:

BUK9Y59-60Eの電気特性についての包括的な概要は,以下の表を参照してください.

パラメータシンボル価値
排水源電圧 (最大)VDS60V
連続流出電流 (最大)ID60A
オン抵抗 (最大)RDS (オン)5.5 mΩ
ゲートスリージングル電圧 (型)VGS (th)2.0V
総ゲートチャージ (種類)Qg85nC
動作温度範囲Tj-55°Cから+150°C
パッケージTO-220AB 

 

応用:

BUK9Y59-60E MOSFETは,以下を含む様々な電力管理およびスイッチシステムで応用されています.

  1. 電源:BUK9Y59-60EをAC/DC変換器やDC/DC変換器などの電源回路に組み込む.

  2. モーター制御: 産業自動化,ロボット工学,電気自動車のモーターを駆動するためのモーター制御回路でこのMOSFETを使用します.

  3. 高電流スイッチング:リレードライバー,電磁管制御,高電力LED照明などの高電流スイッチングアプリケーションでBUK9Y59-60Eを使用します.

  4. バッテリー管理システム:BUK9Y59-60Eは,バッテリー充電器やバッテリー保護回路を含むバッテリー管理システムに適しています.

  5. 再生可能エネルギーシステム: このMOSFETを太陽光インバーターや風力発電の変換機などの再生可能エネルギーシステムで効率的な電力変換のために利用します.

  6. 産業制御:BUK9Y59-60Eは,PLC (プログラム可能な論理制御器),モータードライブ,および電力配送システムを含むさまざまな産業制御アプリケーションで使用できます.

BUK9Y59-60Eの多用性は,上記以上の用途を超えて広がっています.低電源抵抗は,電源切換の幅広いタスクに適しています.

 

結論は

 

BUK9Y59-60E Nチャネル電源MOSFETは,電源切換アプリケーションで例外的なパフォーマンスと信頼性を提供しています.速度の変更TO-220AB パッケージは優れた熱分散と様々な回路設計への統合を容易にする.BUK9Y59-60Eを最適の性能と効率の向上のために 電力管理システムに組み込む.

 

詳細の情報,データシート,技術サポートについては,当社のウェブサイトを訪問するか,販売チームに連絡してください.

 

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訪問www.gselectro.com詳細については

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