IRS2153DSTRPBFの半導体ICの破片の高性能Mosfetのゲートの運転者
型式番号:IRS2153DSTRPBF
原産地:マルチオリジン
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:99999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRS2153DSTRPBFの半導体の破片ICの高性能のゲートの運転者
製品名:IPA80R1K0CEXKSA2半導体ICの破片
製品の説明:
IPA80R1K0CEXKSA2はケイ素基づかせていた高性能、低い電力の集積回路の破片をである。それは音声、ビデオ、自動車および産業コミュニケーションのような広い応用範囲の使用のために設計されている。この破片は低い電力を消費している間高速および信頼性を提供することができる。
特徴:
•高性能、低い電力のケイ素 ベースの破片
•広い適用範囲
•高速および信頼性
•低い電力の消費
•ESD、過電圧および過電流に対する作り付けの保護
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IRS2153DSTRPBFの半導体ICの破片の高性能Mosfetのゲートの運転者
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