抵抗のIRS2101STRPBFの半導体ICの破片MOSFETの運転者の高い現在の高速低速
モデル番号:IRS2101STRPBF
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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IRS 2101 STRPBFの半導体ICの破片
抵抗のMOSFETの運転者の高い現在の高速低速
プロダクト リスト:
IRS2101STRPBFの半導体ICの破片
記述:
IRS2101STRPBFは転換の電源のために、運動制御設計されている高圧、高速、完全な橋MOSFETの運転者ICおよび他の力の転換の適用である。この装置は低い伝搬遅延のひとときを過ごし、高周波で高い流れを動かすことができる。それは活動的なミラー クランプ回路部品、短絡の現在の制限、熱操業停止および過電圧の保護を特色にする。
特徴:
- 最高の作動の電圧:650V
- 最高の現在の出力:5.5A
- 伝搬遅延:14ns
- 出力:4高い側面および4低い側面
- 実用温度範囲:-40°Cへの150°C
- パッケージのタイプ:SOIC-16
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