テキサス・インスツルメントREF3312AIDBZR 3.3V ICの破片の低雑音の高精度
型式番号:REF3312AIDBZR
原産地:原物
最低順序量:1
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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会社概要
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テキサス・インスツルメントREF 3312 AIDBZR 3.3 V低雑音の高精度12ビット電圧参照ICの破片
プロダクト リスト:
REF3312AIDBZR -高性能の電圧安定器
特徴:
- 低雑音:0.5μVrms （10Hzへの100kHz）
- 入れられた電圧範囲:2.25Vへの5.5V
- 出力電圧範囲:0.8Vへの5V
- 出力電流:1A
- 実用温度範囲:-40°Cへの+125°C
- 操業停止モード:0.1μA
- 負荷規則:0.2mV
- 短絡の保護:熱操業停止
- パッケージ:8 Pin SOIC-8パッケージ
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テキサス・インスツルメントREF3312AIDBZR 3.3V ICの破片の低雑音の高精度
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