TLV342SIRUGRのアンプICは操業停止のパッケージ8-SOICと操作上低電圧の柵に柵の出力CMOSを欠く

型式番号:TLV342SIRUGR
原産地:
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細

TLV342SIRUGRのアンプICは欠ける

低電圧の柵に柵は操業停止のパッケージ8-SOICと操作上CMOSを出力した

 

 

roductの状態
活動的
アンプのタイプ
回路の数
2
出力タイプ
柵に柵
スルー・レート
1V/µs
利益帯域幅プロダクト
2.3 MHz
現在-入れられたバイアス
1 pA
電圧-入れられたオフセット
300 µV
現在-供給
75µA (x2チャネル)
現在-出力/チャネル
115 mA
電圧-供給のスパン(分)
1.5 V
電圧-供給のスパン(最高)
5.5 V
実用温度
-40°C | 125°C
タイプの取付け
パッケージ/場合
製造者装置パッケージ
10-X2QFN (2x1.5)

 

特徴
•1.8-Vおよび5-V性能
•低いオフセット(Aの等級)
– 1.25 mVの最高(25°C)
– 1.7 mVの最高(– 125°C)への40°C
•柵に柵の出力振動
•広い共通モード入れられた電圧範囲:– 0.2ボルト
に(V+ – 0.5 V)
•入れられたバイアス流れ:1 pA (典型的な)
•入れられたオフセットの電圧:0.3 mV (典型的)
•低い供給の流れ:70 μA/Channel
•低い操業停止の流れ:
チャネルごとの10 pA (典型的な)
•利益帯域幅:2.3 MHz (典型的)
•スルー・レート:0.9 V/μs (典型的な)
•操業停止からのTurnonの時間:5つのμs (典型的な)
•入れられた参照された電圧騒音(10のkHzで):
20 nV/√Hz
•ESDの保護はJESD 22を超過する
– 2000-V人間ボディ モデル(HBM)
– 750-V満た装置モデル(CDM)

 

 

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