3 MHzローパワー内部EMIフィルタRRIOの演算増幅器のパッケージ8-SOIC

特徴
•自動車適用のために修飾される
•AEC-Q100は次の結果と修飾した:
–装置温度の等級1:– 40°Cへの
+125°Cの包囲された実用温度範囲
–装置HBM ESD分類のレベル3A
–装置CDM ESD分類のレベルC6
•低いオフセットの電圧:0.75 mV （典型的）
•低速によって入れられるバイアス流れ:1 pA （典型的な）
•広い供給の範囲:1.8 Vから5.5ボルト
•柵に柵の入出力
•利益帯域幅:3つのMHz
•低いI.Q.:250 µA/Ch （最高）
•低雑音:1つのkHzの16 nV/√Hz
•内部RFおよびEMIフィルタ
•チャネルの数:
– TLV314-Q1:1
– TLV2314-Q1:2
– TLV4314-Q1:4
•延長温度較差:
– 40°Cへの+125°C

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プロダクト状態	活動的
アンプのタイプ	一般目的
回路の数	2
出力タイプ	柵に柵
スルー・レート	1.5V/µs
利益帯域幅プロダクト	3つのMHz
現在-入れられたバイアス	1 pA
電圧-入れられたオフセット	750 µV
現在-供給	150µA （x2チャネル）
現在-出力/チャネル	20 mA
電圧-供給のスパン（分）	1.8 V
電圧-供給のスパン（最高）	5.5 V
実用温度	-40°C \| 125°C
タイプの取付け	表面の台紙
パッケージ/場合	8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
製造者装置パッケージ	8-SOIC

TLV2314QDRQ1アンプICは3 MHzローパワー内部EMIフィルタRRIOの演算増幅器のパッケージ8-SOICを欠く

TLV2314QDRQ1アンプICは3 MHzローパワー内部EMIフィルタRRIOの演算増幅器のパッケージ8-SOICを欠く

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