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CYW20719B1KUMLG RF力トランジスター高性能の低い電力のパッケージ40-QFN
プロダクト状態 | ない新しい設計のために | |
タイプ | TxRx + MCU | |
RFの家族/標準 | Bluetooth | |
議定書 | Bluetooth v5.0 | |
調節 | 8DPSK、DQPSK、GFSK | |
頻度 | 2.4GHz | |
データ転送速度(最高) | 3Mbps | |
パワー出力 | 4dBm | |
感受性 | -95.5dBm | |
記憶容量 | 1MBフラッシュ、2MB ROM、512kB RAM | |
シリアル・インタフェース | Iの² C、SPI、UART | |
GPIO | 40 | |
電圧-供給 | 1.9V | 3.6V | |
現在-受け取る | 5.9mA | |
現在-送信する | 5.6mA | 20.5mA | |
実用温度 | -30°C | 85°C | |
タイプの取付け | 表面の台紙 | |
パッケージ/場合 | 40-UFQFNはパッドを露出した | |
製造者装置パッケージ | 40-QFN (5x5) |
CYW20719B1KUMLG RF力トランジスター
製品の説明:
CYW20719B1KUMLGは高性能無線適用のために設計されているRF力トランジスターである。それは高い絶縁破壊電圧および低いオン州の抵抗を提供する。この装置は無線LAN、Bluetoothおよび無線PCペリフェラルを含む適用の使用のために適している。
特徴:
•高い絶縁破壊電圧
•低いオン州の抵抗
•、無線LAN、Bluetoothおよび無線PCペリフェラルのような高性能無線適用のために適した
•標準的なCMOS、TTLおよびPLL回路と互換性がある
•迎合的なRoHS
指定:
•最高のCollector-Emitter電圧(VCE):100V
•最高のCollector-Base電圧(VCB):150V
•最高のEmitter-Base電圧(VEB):7V
•最高のコレクター流れ(IC):5A
•最高の電力損失(PD):25W
•実用温度範囲:-40°Cへの85°C
•保管温度の範囲:-40°Cへの125°C