CYW20719B1KUMLG ICの集積回路2.4GHzの高性能

型式番号:CYW20719B1KUMLG
原産地:
最低順序量:1
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供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細

CYW20719B1KUMLG RF力トランジスター高性能の低い電力のパッケージ40-QFN

 

プロダクト状態
ない新しい設計のために
タイプ
TxRx + MCU
RFの家族/標準
Bluetooth
議定書
Bluetooth v5.0
調節
8DPSK、DQPSK、GFSK
頻度
2.4GHz
データ転送速度(最高)
3Mbps
パワー出力
4dBm
感受性
-95.5dBm
記憶容量
1MBフラッシュ、2MB ROM、512kB RAM
シリアル・インタフェース
Iの² C、SPI、UART
GPIO
40
電圧-供給
1.9V | 3.6V
現在-受け取る
5.9mA
現在-送信する
5.6mA | 20.5mA
実用温度
-30°C | 85°C
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
40-UFQFNはパッドを露出した
製造者装置パッケージ
40-QFN (5x5)

 

CYW20719B1KUMLG RF力トランジスター

 

製品の説明:

CYW20719B1KUMLGは高性能無線適用のために設計されているRF力トランジスターである。それは高い絶縁破壊電圧および低いオン州の抵抗を提供する。この装置は無線LAN、Bluetoothおよび無線PCペリフェラルを含む適用の使用のために適している。

 

特徴:

•高い絶縁破壊電圧
•低いオン州の抵抗
•、無線LAN、Bluetoothおよび無線PCペリフェラルのような高性能無線適用のために適した
•標準的なCMOS、TTLおよびPLL回路と互換性がある
•迎合的なRoHS

 

指定:

•最高のCollector-Emitter電圧(VCE):100V
•最高のCollector-Base電圧(VCB):150V
•最高のEmitter-Base電圧(VEB):7V
•最高のコレクター流れ(IC):5A
•最高の電力損失(PD):25W
•実用温度範囲:-40°Cへの85°C
•保管温度の範囲:-40°Cへの125°C

 

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