HMC326MS8GETRの表面の台紙のトランジスター高い発電の高い直線性
型式番号:HMC326MS8GETR
原産地:マルチオリジン
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:99999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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HMC326MS8GETR RF力トランジスター-高い発電の高い直線性
HMC326MS8GETRのGaAsのpHEMT、RF力トランジスター
製品の説明:
HMC326MS8GETRは高性能のGaAsのpHEMT、RF力トランジスターである。それは細胞および広帯域通信のようないろいろ適用の使用のために設計されている。この装置は18.5のdBmの出力電力最高および16 dBの最高の利益の頻度の広い範囲上の優秀なRFの性能を、提供する。HMC326MS8GETRはまた+40 dBmの第3順序の妨害ポイントと非常に線形、である。この装置は無鉛、迎合的なRoHS 3 x 3 mm QFNのパッケージで供給される。
特徴:
•出力電力18.5のdBm
•16 dBの利益
•+40のdBmの第3順序の妨害ポイント
•動作周波数の範囲:0.2から2.0 GHz
•、迎合的なRoHS無鉛3 x 3 mm QFNのパッケージ
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