製品詳細
10M08SAM153I7Gプログラム可能なICの破片
システム内プログラム可能なゲート・アレー(FPGA) IC 112 387072 8000パッケージ153-VFBGA
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総RAMビット | | |
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•改善された中心の論理の性能:Intelの14 nmの三ゲートの技術と結合されるIntel Hyperflexの中心の建築はIntel
Stratixに10のTX装置が前の生成と比較される中心の性能2Xを達成するようにする
•低い電力:Intel Stratixは10のTX装置70%まで14 nm Intelの三ゲートの技術、Intel
Hyperflexの中心の建築および建築に造られる任意力の節約の特徴によって可能になる前の生成と比較されるより低い中心力を使用する
•高密度:Intel
Stratixは単一生地の2,800K論理素子(LEs)までに、選り抜き装置の埋め込まれたeSRAMのブロックの94.5
Mbits、埋め込まれたM20Kのメモリ ブロックの229
Mbits、および11,520の18x19乗数の統合のレベル10のTX装置2倍の、提供する
•埋め込まれた処理:選り抜きIntel Stratixは10のTX装置前の生成Intel
SoCsと互換性がある出力効率およびソフトウェアのために最大限に活用されるクォード中心の64ビットの腕の皮質A53プロセッサを特色にする
•改善されたトランシーバーの性能:57.8 Gbps
PAM4および30以上dBを同等にすることができる信号処理回路を使って運転するchip-to-chipのための28.9 Gbps
NRZおよびバックプレーンまで異質3D一口のトランシーバーのタイル、Intel Stratixで10のTX装置サポート
データ転送速度実行されて144までのトランシーバー チャネルが
システム損失の。
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