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論理素子/細胞の数 | 17280 | |
総RAMビット | 442368 | |
入力/出力の数 | 333 | |
ゲートの数 | 1000000 | |
電圧-供給 | 1.14V | 1.26V | |
タイプの取付け | ||
実用温度 | 0°C | 85°C (TJ) | |
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 456-FBGA (23x23) | |
基礎プロダクト数 |
XC3S1000-4FGG456Cは特色になる
•大量の、消費者志向の適用のための低価格の、高性能論理の解決
•密度74,880個までの論理の細胞
•SelectIO™インターフェイス シグナリング
•633までの入力/出力ピン
•入力/出力ごとの622+ Mb/sのデータ転送率
•18の片端接地信号の標準
•LVDS、RSDSを含む8つの差動入力/出力の標準
•ディジタル式のインピーダンスによる終了
•1.14Vから3.465Vまで及ぶ信号の振動
•二重データ転送速度(DDR)サポート
•DDRのDDR2 SDRAMサポート333までMb/s
•論理資源
•シフト レジスタの機能の豊富な論理の細胞
•広く、速い多重交換装置
•速い先読みは論理を運ぶ
•専用されていた18 x 18の乗数
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