プログラム可能な破片IC EP4CE75F29C8N FPGA 28Kの論理素子256MB DDR3 SDRAM
型式番号:EP4CE75F29C8N
原産地:マルチオリジン
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:99999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
EP4CE75F29C8Nプログラム可能なICの破片
製品の説明:
EP4CE75F29C8Nプログラム可能なICの破片は高性能、ローパワーの、低価格FPGAである。それは彼らの適用に選択の広い範囲をユーザーに与える高度の埋め込まれた建築および強い設計を特色にする。装置に400までのMHzの最高の動作周波数があり、8,000までの論理素子を支えることができる。それはまたオン破片の記憶、DSPのブロックおよび埋め込まれたプロセッサ サポートのような進んだ機能を特色にする。
指定:
•最高の動作周波数:400のMHz
•最高の論理素子:8,000
•オン破片の記憶:512 Kb
•DSPのブロック:4
•埋め込まれたプロセッサ:Nios II
•パッケージのタイプ:VQFN （72ピン）
•パワー消費量:<0.6W
•実用温度範囲:85°Cへの0
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プログラム可能な破片IC EP4CE75F29C8N FPGA 28Kの論理素子256MB DDR3 SDRAM
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