W631GG6MB-11フラッシュ・メモリは電圧3V高性能を欠く
モデル番号:W631GG6MB-11
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
受渡し時間:1～3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
W631GG6MB-11フラッシュ・メモリはより速いデータ記憶のための高性能を欠く
製品の説明:
このW631GG6MB-11フラッシュ・メモリの破片は埋め込まれた適用のための高性能および費用効果が大きい解決である。それは66MHzの連続フラッシュ・メモリそして最高のクロック速度の6MBを特色にする。それは3V作動の電圧および1.8V/3V入力/出力の電圧と来る。装置はまたSPIを支え、二倍になり/クォードSPI、そしてQPIの議定書。
プロダクト変数:
- 容量:6MB
- 最高のクロック速度:66MHz
- 作動の電圧:3V
- 入力/出力の電圧:1.8V/3V
- 支えられる議定書:SPI、二重/クォードSPI、およびQPI
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