CY7C1071DV33-12BAXIのフラッシュ・メモリは48-TFBGAパッケージの静的なRAMの高性能CMOSの静的なRAM 32Mbitを欠く
型式番号:CY7C1071DV33-12BAXI
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
CY7C1071DV33-12BAXIのフラッシュ・メモリの破片
48-TFBGAパッケージの空電RAMの高性能CMOSの静的なRAM 32Mbit
記憶タイプ | 揮発 | |
記憶フォーマット | ||
技術 | SRAM -非同期 | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 2M x 16 | |
記憶インターフェイス | 平行 | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 12ns | |
アクセス時間 | 12 ns | |
電圧-供給 | 3V | 3.6V | |
実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 48-FBGA （8x9.5） |
特徴
■高速
❐のtAA = 12 ns
■低いアクティブな電源
❐ 83.3 MHzのICC = 250 mA
■低い相補型金属酸化膜半導体（CMOS）
予備発電
❐ ISB2 = 50 mA
■3.3 ±の作動の電圧0.3 V
■2.0 Vデータ保持
■選択解除された場合自動力
■TTLの多用性がある入出力
■Pbなしの48ボールFBGAのパッケージで利用できる
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CY7C1071DV33-12BAXIのフラッシュ・メモリは48-TFBGAパッケージの静的なRAMの高性能CMOSの静的なRAM 32Mbitを欠く
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