CY7C1071DV33-12BAXIのフラッシュ・メモリは48-TFBGAパッケージの静的なRAMの高性能CMOSの静的なRAM 32Mbitを欠く

型式番号:CY7C1071DV33-12BAXI
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細

CY7C1071DV33-12BAXIのフラッシュ・メモリの破片

48-TFBGAパッケージの空電RAMの高性能CMOSの静的なRAM 32Mbit

 

 

 

 

記憶タイプ
揮発
記憶フォーマット
技術
SRAM -非同期
記憶容量
記憶構成
2M x 16
記憶インターフェイス
平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
12ns
アクセス時間
12 ns
電圧-供給
3V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
パッケージ/場合
製造者装置パッケージ
48-FBGA (8x9.5)

 

 

 

特徴

 


高速
❐のtAA = 12 ns
■低いアクティブな電源
❐ 83.3 MHzのICC = 250 mA
■低い相補型金属酸化膜半導体(CMOS)
予備発電


❐ ISB2 = 50 mA
■3.3 ±の作動の電圧0.3 V
■2.0 Vデータ保持
■選択解除された場合自動力
■TTLの多用性がある入出力
■Pbなしの48ボールFBGAのパッケージで利用できる

 

 

 

 

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CY7C1071DV33-12BAXIのフラッシュ・メモリは48-TFBGAパッケージの静的なRAMの高性能CMOSの静的なRAM 32Mbitを欠く

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