CY7C1061G30-10ZSXIのフラッシュ・メモリは欠くエラー訂正コード(ECC)の54-TSOPパッケージの高速静的なRAMを

型式番号:CY7C1061G30-10ZSXI
原産地:
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細

CY7C1061G30-10ZSXIのフラッシュ・メモリの破片

エラー訂正コード(ECC)の54-TSOPパッケージの高速静的なRAM

 

 

 

 

記憶タイプ
揮発
記憶フォーマット
技術
SRAM -非同期
記憶容量
記憶構成
1M x 16
記憶インターフェイス
平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
10ns
アクセス時間
10 ns
電圧-供給
2.2V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
パッケージ/場合
製造者装置パッケージ
54-TSOP II

 

 

 

特徴


■高速
❐のtAA = 10 ns/15 ns

 


シングル・ビットのエラー修正のための埋め込まれたエラー訂正コード(ECC) [1、2つ]
■低く活動的な、スタンバイの流れ
mA典型的な❐ ICC = 90 100つのMHzで
❐ ISB2 = 20 mA典型的

 


作動の電圧範囲:1.65 Vから2.2ボルト、2.2ボルトから3.6ボルト、
4.5 Vから5.5ボルト
■1.0 Vデータ保持
■トランジスター トランジスター論理(TTL)の多用性がある入出力
■1ビット誤り検出と訂正を示す間違いの徴候(誤りなさい)ピン
■Pbなしの48ピンTSOP I、54ピンTSOP II、および48ボールVFBGAのパッケージで利用できる

 

 

 

 

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