S29GL256P90TFIR10フラッシュ・メモリは56-TFSOPパッケージ1のGbit 128Mbit 3Vのページ抜け目がない90nm MirrorBitの加工技術を欠く
型式番号:S29GL256P90TFIR10
原産地:元
最低順序量:1
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S29GL256P90TFIR10フラッシュ・メモリの破片
56-TFSOPパッケージ1のGbit 128Mbit 3Vのページ抜け目がない90nm MirrorBitの加工技術
記憶タイプ | 不揮発性 | |
記憶フォーマット | ||
技術 | フラッシュ- | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 32M x 8 | |
記憶インターフェイス | 平行 | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 90ns | |
アクセス時間 | 90 ns | |
電圧-供給 | 2.7V | 3.6V | |
実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 56-TSOP |
概説はCypress S29GL01G/512/256/128P抜け目がないプロダクトが90 nmの加工技術で製造したMirrorbit®である。これらの装置は90 ns対応するランダム・アクセス時間との25 nsの速いページのアクセス時間を速く提供する。それらは標準的なプログラミングのアルゴリズムより速く有効なプログラミングの時間に終って書く最大32のwords/64バイトが1つの操作でプログラムされるようにする緩衝を特色にする。これはこれらの装置を高密度、よりよい性能および低い電力の消費を要求する今日の埋め込まれた適用にとって理想的にさせる。特有な特徴の単一3Vは読んだり/プログラム/消去（2.7-3.6 V）は制御するためにVersatileI/O™を高めた–すべての入力レベル（住所、制御およびDQの入力レベル）および出力はVIOの入力の電圧によって定められる。VIOの範囲は加工技術の8 word/16バイトのページがバッファー読み取りの32 word/64バイトを書く緩衝を減らすmultiple-word更新の全面的なプログラミングの時間を1.65to VCCの90 nm MirrorBitである
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