S29GL512S11TFI020フラッシュ・メモリは56-TFSOPパッケージ128のMb 256のMb MIRRORBIT™抜け目がない平行3.0Vを欠く
型式番号:S29GL512S11TFI020
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
S29GL512S11TFI020フラッシュ・メモリの破片
56-TFSOPパッケージ128のMb 256のMb MIRRORBIT™抜け目がない平行3.0V
記憶タイプ | 不揮発性 | |
記憶フォーマット | ||
技術 | フラッシュ- | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 32M x 16 | |
記憶インターフェイス | 平行 | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 60ns | |
アクセス時間 | 110 ns | |
電圧-供給 | 2.7V | 3.6V | |
実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 56-TSOP |
概説
S29GL01G/512/256/128Sは65 nm加工技術で製造されるMIRRORBIT™食の抜け目がないプロダクトである。
これらの装置は90 nsとして速くとして対応するランダム・アクセス時間との15
ns速いページのアクセス時間を速く提供する。それらは標準的なプログラミングのアルゴリズムより速く有効なプログラミングの時間に終って書く最大256のwords/512バイトが1つの操作でプログラムされるようにする緩衝を特色にする。これはこれらの装置を高密度、よりよい性能および低い電力の消費を要求する今日の埋め込まれた適用にとって理想的にさせる。
特有な特徴
•多目的な入力/出力とのCMOS 3.0 Vの中心
•65 nm MIRRORBIT™食の技術
•読書/プログラム/消去（3.6 V）のための単一の供給（VCC）への2.7ボルト
•多目的な入力/出力の特徴
- 広い入力/出力の電圧範囲（VIO）:1.65 VCCへのV
•×16データ・バス
•非同期32バイトのページは読んだ
•512バイトのプログラミングの緩衝
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