FM24V02A-Gのフラッシュ・メモリは8-SOICパッケージの高度の高い信頼性のferroelectricプロセスを欠く
モデル番号:FM24V02A-G
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FM24V02A-Gのフラッシュ・メモリは8-SOICパッケージの高度の高い信頼性のferroelectricプロセスを欠く
記憶タイプ | 不揮発性 | |
記憶フォーマット | ||
技術 | FRAM （Ferroelectric RAM） | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 32K X 8 | |
記憶インターフェイス | Iの² C | |
クロック周波数 | 3.4 MHz | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - | |
アクセス時間 | 130 ns | |
電圧-供給 | 2V | 3.6V | |
実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
特徴
■256-Kbit ferroelectric RAMメモリ（F-RAM）
32K ×として論理的に8組織されて
❐の高持久力100兆は（1014）読んだり/書く
❐ 151年データ保持（データ保持を見なさい
持久力のテーブル）
❐ NoDelay™は書く
❐の高度の高信頼性のferroelectricプロセス
■速い二線式のシリアル・インタフェース（I2C）
3.4 MHz頻度までの❐ [1]
❐は連続EEPROMのためのハードウェア取り替えを指示する
❐は100つのkHzおよび400のkHzのための遺産のタイミングを支える
■装置ID
❐の製造業者IDおよびプロダクトID
■低い電力の消費
❐ 175 -100つのkHzの活動的な流れ
❐ 150 -スタンバイの流れ
❐ 8 -休眠モードの流れ
■低電圧操作:VDD = 2.0ボルトから3.6ボルト
■産業温度:– 40Cから+85C
■8ピン小さい輪郭の集積回路（SOIC）のパッケージ
■迎合的な危険な物質（RoHS）の制限
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