W25Q16JWSSIQ 8-SOICのフラッシュ・メモリの破片-高容量の速い読み書き速度の低い電力の消費
型式番号:W25Q16JWSSIQ
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
W25Q16JWSSIQ 8の- SOICのフラッシュ・メモリの破片-高容量の速い読み書き速度の低い電力の消費
記憶フォーマット | ||
技術 | フラッシュ- | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 2M x 8 | |
記憶インターフェイス | SPI -クォード入力/出力 | |
クロック周波数 | 133のMHz | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 3ms | |
電圧-供給 | 1.65V | 1.95V | |
実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
プロダクト リスト:
Winbond W25Q16JWSSIQ 8-SOICのフラッシュ・メモリの破片
特徴:
- 16Mbit （2M x 8bit）連続フラッシュ・メモリ
- 速い読み取りアクセスの時間:85MHz
- 標準的な連続周辺機器インターフェイス（SPI）
- 3Vおよび1.8V電圧サポート
- 8ピンSOICパッケージ
- 拡張セキュリティの特徴
- 低い電力の消費
- 終わりとのデータ保護の検出を書くため
- プログラム可能な保証ID
- 10,000のプログラム/消去周期
- 保持10年のデータ
- 持久力:1,000,000のプログラム/消去周期
- 単一の供給電圧（1.7Vへの3.6V）
- 多目的なプロダクト建築
- 3.3Vおよび2.5V入力/出力インターフェイス両立性
- JEDECの標準と完全に対応する
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