W25Q512JVFIQ 16-SOICのフラッシュ・メモリの破片-データおよびプログラム貯蔵のための高性能の記憶
型式番号:W25Q512JVFIQ
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
データおよびプログラム貯蔵のためのW25Q512JVFIQ 16の- SOICのフラッシュ・メモリの破片-高性能の記憶
記憶フォーマット | ||
技術 | フラッシュ- | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 64M x 8 | |
記憶インターフェイス | SPI -クォード入力/出力 | |
クロック周波数 | 133のMHz | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - | |
電圧-供給 | 2.7V | 3.6V | |
実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 16-SOIC |
プロダクト リスト:
W25Q512JVFIQのフラッシュ・メモリの破片
製造業者:Winbond
パッケージ:16-SOIC
特徴:
- 512Mかまれた記録密度
- 4KBytes均一セクターの建築
- 入力/出力操作は二倍になり、/クォード、SPIそしてクォード
- 高性能のクロック レート
- 二重出力、二重入力/出力およびクォード入力/出力
- 3.6V作動の電圧への1.8V
- 85°C実用温度範囲への-40°C
- 低い電力の消費
- 最高は25 MB/sの速度を書く
- 持久力:10,000/消去周期は書く
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