W25Q128JVSIM 8-SOICのフラッシュ・メモリの破片-埋め込まれた適用のための高速低い電力の持久記憶装置
型式番号:W25Q128JVSIM
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
W25Q128JVSIM 8の- SOICのフラッシュ・メモリの破片-埋め込まれた適用のための高速低い電力の持久記憶装置
記憶タイプ | 不揮発性 | |
記憶フォーマット | ||
技術 | フラッシュ- | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 16M x 8 | |
記憶インターフェイス | SPI -クォード入力/出力、QPI、DTR | |
クロック周波数 | 133のMHz | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 3ms | |
電圧-供給 | 2.7V | 3.6V | |
実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
プロダクト リスト:
Winbond W25Q128JVSIMのフラッシュ・メモリの破片、8-SOICパッケージ
変数:
•容量:128Mb （16M x 8）
•インターフェイス:連続周辺機器インターフェイス（SPI）
•クロック周波数:104MHzまで
•操作。電圧:2.7Vへの3.6V
•持久力:1,000,000周期を書きなさい
•データ保持:20年
•パッケージ:8-SOIC
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