MX25L3235EMI-10Gのフラッシュ・メモリの破片の高速収蔵可能量
モデル番号:MX25L3235EMI-10G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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製品詳細
MX25L3235 EMI-10Gのフラッシュ・メモリの破片の高速収蔵可能量
製品名:MX25L3235EMI-10Gのフラッシュ・メモリの破片
製品の機能:
1. 10Gbitフラッシュ・メモリの破片
2. 高速読書および操作を書くため
3. 低い電力の消費
4. 広い温度較差
5. 拡張セキュリティの特徴
6. 高信頼性、強い設計
指定:
1. 記憶容量:10Gビット
2. インターフェイス:SPI/QPI
3. 操作。電圧:1.65V-3.6V
4. 抜け目がない構成:x1/x2/x4/x8/x16
5. クロック周波数:33MHz/66MHz/133MHz
6. 時間を書きなさい:5µs/page
7. 読まれた時間:25µs/page
8. 持久力:1,000,000の周期
9. データ保持:10年
10. 温度:-40°Cへの+85°C
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MX25L3235EMI-10Gのフラッシュ・メモリの破片の高速収蔵可能量
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