SST25VF020-20-4C-SAE-Tのフラッシュ・メモリは2Mbit連続低電圧操作の速い移動率を欠く
モデル番号:SST25VF020-20-4C-SAE-T
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SST 25VF 020- 20- 4つのC-SAE-Tのフラッシュ・メモリの破片
2Mbit連続低電圧操作の速い移動率
製品の説明:
SST25VF020-20-4C-SAE-Tは高速および低い電力の消費を提供する2Mb連続フラッシュ・メモリの破片である。それは2.7Vからの3.6Vに広い電圧範囲および活動的な、待機モードの超低いパワー消費量を特色にする。それはまた20MHzまでクロック レートの高速SPIバスを特色にする。
変数:
•記憶容量:2Mb
•作動の電圧:2.7V - 3.6V
•クロック レート:20MHzまで
•パワー消費量（活動的な/スタンバイ）:5.0mA/500nA
•実用温度範囲:-40°Cへの+85°C
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SST25VF020-20-4C-SAE-Tのフラッシュ・メモリは2Mbit連続低電圧操作の速い移動率を欠く
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