SST25VF016B-50-4C-S2AF 16Mbの高性能データ記憶のための連続フラッシュ・メモリの破片
型式番号:SST25VF016B-50-4C-S2AF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1～3日
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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製品詳細
SST 25VF 016B-50-4C-S2AF 16のMb
高性能データ記憶のための連続フラッシュ・メモリの破片
製品の説明:
SST25VF016B-50-4C-S2AFは16Mbit （2M x
8）連続フラッシュ・メモリ装置である。装置は64Kbytesの32セクターそれぞれとして組織される。それはコード貯蔵、データ記憶およびプログラム可能な論理の解決のための非常に費用効果が大きい解決である。
装置は高密度不揮発性メモリが要求される適用にとって理想的である。それは速く、容易なプログラミングのための4ワイヤーSPI互換性があるシリアル・インタフェースを特色にする。装置は8ビット命令セットを支え、『書く状態の記録』命令を支える。
プロダクト変数:
- 記憶容量:16Mbit （2M x 8）
- 構成:64Kbytesの32セクターそれぞれ
- インターフェイス:4ワイヤーSPI互換性があるシリアル・インタフェース
- 命令セット:8ビット命令セット
- 電源:2.7Vへの3.6V
- 実用温度範囲:-40°Cへの+85°C
- パッケージ:SOIC-8
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SST25VF016B-50-4C-S2AF 16Mbの高性能データ記憶のための連続フラッシュ・メモリの破片
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