AT24C512C-SSHM-Tの高容量512Kb連続EEPROMのフラッシュ・メモリの破片
モデル番号:AT24C512C-SSHM-T
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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AT24C512C-SSHM-Tの高容量512Kb連続EEPROMのフラッシュ・メモリの破片
プロダクト リスト:
AT24C512C-SSHM-Tのフラッシュ・メモリの破片
記述:
AT24C512C-SSHM-Tはいろいろ適用に持久記憶装置の解決を提供するように設計されている512Kb連続EEPROM
ICである。装置は記憶貯蔵の512Kbitsの合計との8バイトの64ページそれぞれとして、組織される。
特徴:
•512Kb連続EEPROM IC
•8バイトの64ページそれぞれ
•作動の電圧範囲:1.8Vへの5.5V
•最高のアクセス時間:5ms
•アクセス時間:1.5ms
•記憶持久力:1，000,000は周期を書く
•データ保持:40年
•保護を書きなさい:ハードウェアは保護を書く
•パッケージ:8鉛SOIC
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AT24C512C-SSHM-Tの高容量512Kb連続EEPROMのフラッシュ・メモリの破片
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