SST25VF010A-33-4I-SAE 10Mbit SPIの貯え、取り出すデータのための連続フラッシュ・メモリの破片
モデル番号:SST25VF010A-33-4I-SAE
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
SST 25VF 010A-33-4I-SAE 10Mbit
SPIの貯え、取り出すデータのための連続フラッシュ・メモリの破片
製品の説明:
SST25VF010A-33-4I-SAEは3V作動の電圧および低い電力の消費を特色にする10メガビット（1
Mバイト）の連続フラッシュ・メモリである。このメモリ素子、記憶装置は持久記憶装置を要求する適用かローパワー埋め込まれたシステムにとって理想的である。フラッシュ・メモリは4バイトのアドレス・レジスターを含んでいてアドレス空間の16Mbytesまで許す。それは32のセクターとの4Kbytesの均一セクターの建築を、提供する。これはセクターおよび助けの容易な消去を偶然データ損失から保護することを可能にする。装置はまた速いプログラミングを（1.8
ms/byte）特色にし、速く読み取りアクセスの時間（0.25のµs）を。
特徴:
•低い電力の消費
•作動の電圧:3V
•速いプログラミング（1.8 ms/byte）
•速い読み取りアクセスの時間（0.25のµs）
•記憶容量:10メガビット（1 Mバイト）
•均一セクターの建築:4Kbytesの32のセクター
•4バイトのアドレス・レジスター:アドレス空間の16Mbytesまで許す
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