MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリは高速データ記憶および検索を欠く
型式番号:MT29F2G08ABAEAWP:E
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリは高速データ記憶および検索を欠く
製品の説明:
MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリの破片
このMT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリの破片はデジタル装置でデータおよびプログラムを貯えるために使用される不揮発性メモリである。否定論履積の建築、高速データ・アクセスおよび高い信頼性を特色にするのはシングル レベルの細胞（SLC）装置である。この破片は産業および自動車適用にとって理想的である。
プロダクト変数:
•技術:否定論履積
•建築:シングル レベルの細胞（SLC）
•記憶容量:2GB
•作動の電圧:1.8V
•実用温度:-40°Cへの+85°C
•データ転送率を:120MB/s
•インターフェイス:8ビット/16ビット
•持久力:100Kプログラム/消去周期
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