W631GG6KB12Iのフラッシュ・メモリはあなたのデータ必要性のための高性能の貯蔵を欠く
型式番号:W631GG6KB12I
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1～3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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製品詳細
W631 GG6KB12私はフラッシュ・メモリあなたのデータ必要性のための高性能の貯蔵を欠く
W631 GG6KB12私8GB DDR3L-1600MHzのPC3- 12800 SODIMMのメモリー チップ
このW631GG6KB12I 8GB DDR 3L-1600MHz PC3-12800 SODIMMのメモリー チップは8GBの容量および1600MHzの速度のフラッシュ・メモリの破片である。それはPC3-12800移動率のDDR3L SODIMMのメモリー チップである。このメモリー チップはラップトップ
コンピュータおよび他の携帯機器の使用のために完全である。それは高速、低い電力の消費および信頼できる性能を提供する。それは装置の広い範囲と互換性があり、1年の保証によって支持される。
W631GG6KB12Iのフラッシュ・メモリの破片は移動式適用のための高性能、費用効果が大きい解決である。広い実用温度範囲を特色にして、これらの破片はいろいろな適用のために適している。高度の抜け目がない管理およびエラー修正技術によって、それらは高い収蔵可能量およびデータ保全を提供する。
変数:
•容量:64GB
•技術:3D否定論履積
•実用温度範囲:-40°Cへの+85°C
•データ転送速度:400までMB/s
•持久力:100,000までのプログラム/消去周期
•パワー消費量:0.2W （典型的な）
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