高性能MT47H256M8EB-25Eのフラッシュ・メモリは-データ記憶および移動のための理想を欠く
型式番号:MT47H256M8EB-25E:C
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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高性能MT47H256M8EB-25Eのフラッシュ・メモリは-データ記憶および移動のための理想を欠く。
プロダクト リスト:
MT47H256M8EB-25E:Cのフラッシュ・メモリの破片
特徴:
- 256メガビット（32メガバイト）密度
- 3.3V/1.8V二重電圧
- 25nsのアクセス時間
- 使用はブート ブロックの建築を
- サポートx16、x8およびx4バス幅
- サポート隠し場所の読書および操作を書くため
- 作り付けECC
- エラー修正 サポート4ビット
- サポート破烈のアクセス
- サポート ページ モード操作
- サポートは消去操作を妨げる
- 支援プログラム/消去中断するため
- 迎合的なRoHS
- 適用はデジタル家電、ネットワーキング、埋め込まれたシステムおよび自動車電子工学を含んでいる
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